Mémoire à changement de phase (PCM)

La mémoire à changement de phase, ou PCM (Phase-Change Memory), est une forme de mémoire vive (RAM) qui stocke des données en modifiant l'état du matériau dans lequel son dispositif support est fabriqué.

A l'échelle microscopique, la structure du matériau peut rapidement basculer entre les états amorphe et cristallin. En phase amorphe ou désordonnée, le matériau affiche une résistance électrique élevée ; en phase cristalline ou ordonnée, cette résistance est moindre. Cette propriété permet à un courant électrique d'être activé ou non ; deux états correspondant aux états numériques haut et bas.

Selon ses partisans, la technologie PCM pourrait fournir un stockage non volatile économique, présentant un débit, une densité et un volume élevés, et ce à une échelle sans précédent.

La structure physique tridimensionnelle maximise le nombre de transistors qu'il est possible de faire cohabiter sur une puce de taille fixe. La technologie PCM est parfois appelée « Perfect RAM » car elle permet d'écraser les données sans les effacer au préalable.

Grâce à cette caractéristique, la technologie PCM fonctionne bien plus vite que la mémoire Flash classique, tout en consommant moins d'énergie.

En outre, les puces PCM devraient afficher une durée de vie très supérieure à celle des puces à mémoire Flash actuellement disponibles, et pourraient se révéler moins chères à produire en masse.