Intel et Micron conçoivent une mémoire non-volatile « 1.000 fois plus rapide » que la flash

Intel et Micron ont annoncé avoir créé une mémoire non-volatile « 1.000 fois plus rapide » que la technologie NAND actuelle.

Cette mémoire a été baptisée 3D XPoint (crossed point) en rapport à son architecture dont la structure est en 3 dimensions, et du fait que les cellules de mémoires (1 bit) sont localisées à l’intersection des canaux, eux-mêmes nommés « word lines » et « bit lines ».

 « Cette conception nous permet d’éliminer les transistors », se félicite Rob Crooke, Vice-président d’Intel.

Chaque cellule de mémoire peut être gérée individuellement, ce qui ouvre la voie à des processus de lecture/écriture beaucoup plus rapides.

Autre avantage, 3D XPoint réduit la distance entre la mémoire et le processeur, ce qui permettrait – là encore - de stocker plus de données et de les analyser plus rapidement avec des latences qui se compte désormais en nanosecondes.

« La quantité phénoménale de données qui sont créées dans le monde aujourd’hui ne seront véritablement utiles que si l’on peut rapprocher ces données du processeur et en faire quelque chose, que ce soit les soustraire, les additionner, les comparer les unes aux autres, ou les utiliser pour créer un savoir. C’est de cela qu’il est question avec cette technologie », résume Rob Crooke. Qui indique au passage qu’un seul « die » peut stocker 128 Gb de données.

Cette amélioration des performances – qui s’accompagne également d’une endurance elle aussi évaluée à 1.000 fois supérieure à la technologie Flash – fait que d’après lui, 3D XPoint est la nouveauté « la plus importante de ces 25 dernières années », depuis la mémoire Flash NAND, donc, née en 1989.

3D XPoint est l’aboutissement de 10 ans de recherche. Sa sortie officielle devrait intervenir courant 2016. Les domaines citées par Intel et Micron qui pourront être intéressés et tirer parti de ces performances vont du jeu vidéo à la finance, en passant par la recherche scientifique et médicale.